（原标题：台积电2nm锦盈多，大跃进）
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全球晶圆代工龙头台积电（TSMC）2纳米制程进展备受瞩目，其缺陷密度（D0）表现已比肩5纳米家族，甚至超越同期7纳米与3纳米制程，成为技术成熟度最高的先进节点之一，为2025年下半年量产注入强心针。法人看好，2纳米的快速进展将带动供应链如中砂、升阳半等业者的营收成长。
台积电2纳米主要客户锁定苹果、英伟达、AMD、高通、联发科及博通一线业者。AMD新一代EPYC处理器Venice为业界首款完成投片并采用台积电2纳米制程，苹果iPhone 18系列机型预计采用2纳米处理器，英伟达的Rubin平台2026年下半年仍以3纳米为主，2纳米导入较谨慎。英特尔亦积极布局2纳米，特别针对AI与高效能运算应用。
台积电董事长魏哲家日前强调，2纳米需求「前所未有」，远超3纳米。半导体业者透露，台积电2纳米制程首度采用环绕式栅极晶体管（GAAFET）架构的关键节点，取代沿用多年的FinFET技术；GAAFET透过立体堆叠的纳米片结构锦盈多，使晶体管通道被栅极材料完全包覆，不仅提升晶体管密度与效能，更有效降低漏电流与功耗。
台积电在北美技术论坛首次公开2纳米（N2）缺陷密度趋势，尽管未揭露具体数据，但透过对比历代制程的缺陷率趋势图，台积电2纳米的D0，低于同期先进制程节点。
台积电2纳米制程已进入试产阶段，新竹宝山Fab 20厂（P1）于2024年第四季启动工程线验证，月产能约3,000片，预计2025年第四季量产，月产能将提升至3万片。高雄Fab 22厂亦于2024年第四季进机，预计2026年首季量产，月产能同样达3万片。
业界预估，台积电计划于2027年将新竹与高雄的2纳米总月产能扩增至12万～13万片，2025年底前可能达到5万片，若进展顺利，最高可达8万片。
台积电2纳米需求红不让，促使公司加速扩建新竹宝山4座厂及高雄楠梓3座厂，总投资额逾1.5兆元，打造全球最大半导体制造聚落。
此外，台积电在美国亚利桑那州的Fab 21厂区第三座（P3）将导入2纳米及A16（1.6纳米）制程锦盈多，预计2028年量产，也将接棒将技术推升至2纳米制程。
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